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海內(nèi)存知己 天涯若比鄰

科研儀器設(shè)備設(shè)計(jì)與制造以及材料代理

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雙光路激光劃線設(shè)備

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本設(shè)備為薄膜太陽能試驗(yàn)線,采用雙光路激光,對(duì)薄膜太陽能電池及組件進(jìn)行P1,P2,P3激光劃刻。
產(chǎn)品詳情

  本設(shè)備為薄膜太陽能試驗(yàn)線,采用雙光路激光,對(duì)薄膜太陽能電池及組件進(jìn)行P1,P2,P3激光劃刻。

  產(chǎn)品特點(diǎn)

  碲化鎘、鈣鈦礦、OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM、NIOx等不同材質(zhì)鍍層

  太陽能薄膜電池工藝驗(yàn)證試產(chǎn)線、各大高校、科研院所及初創(chuàng)公司

  設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊、良好的兼容性

  雙光路設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)&多加工幅面,滿足定制化要求

  設(shè)備運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)機(jī)能穩(wěn)定、響應(yīng)快速

  精度高、使用接口友好,維護(hù)便利

  技術(shù)參數(shù)

  刻蝕劃線

  劃線工作頭數(shù)量 2個(gè)

  刻劃方向 垂直進(jìn)出料方向

  子電池間距 4-10mm±0.01mm

  玻璃翹曲度 ≤0.5mm

  較大刻線速度 1500mm/s

  刻蝕兩側(cè)電阻 ≥20MΩ

  刻蝕要求 避免因熔化產(chǎn)生的邊緣火山口形貌效應(yīng)、崩邊和熱影響區(qū)

  除塵方式 激光加工時(shí),跟隨吸塵

  線寬 20±5um(可定制)

  平行度 ≤±10um/m

  熱影響 ≤5um(單側(cè))

  刻蝕深度 500-800nm(常規(guī)玻璃厚度3.2mm)

  較小聚焦光斑

  激光器功率 ≥20W

  激光器壽命 >20000h

  激光器類型 納秒/皮秒/飛秒綠光;納秒/皮秒/飛秒紫外(可定制)

  較小聚焦光斑 20um

  激光器功率 ≥30W

  激光器壽命 >20000h

  設(shè)備稼動(dòng)率 ≥98%

  不定時(shí)維護(hù)時(shí)間 <1%

  設(shè)備尺寸 1400x1400x2000mm

  運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)

  直線度 ±10umm/m

  較大速度 1500mm/s

  較大加速度 1.5g

雙光路激光劃線設(shè)備
雙光路激光劃線設(shè)備

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  碲化鎘、鈣鈦礦、OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM、NIOx等不同材質(zhì)鍍層

  太陽能薄膜電池工藝驗(yàn)證試產(chǎn)線、各大高校、科研院所及初創(chuàng)公司

  設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊、良好的兼容性

  雙光路設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)&多加工幅面,滿足定制化要求

  設(shè)備運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)機(jī)能穩(wěn)定、響應(yīng)快速

  精度高、使用接口友好,維護(hù)便利

  技術(shù)參數(shù)

  刻蝕劃線

  劃線工作頭數(shù)量 2個(gè)

  刻劃方向 垂直進(jìn)出料方向

  子電池間距 4-10mm±0.01mm

  玻璃翹曲度 ≤0.5mm

  較大刻線速度 1500mm/s

  刻蝕兩側(cè)電阻 ≥20MΩ

  刻蝕要求 避免因熔化產(chǎn)生的邊緣火山口形貌效應(yīng)、崩邊和熱影響區(qū)

  除塵方式 激光加工時(shí),跟隨吸塵

  線寬 20±5um(可定制)

  平行度 ≤±10um/m

  熱影響 ≤5um(單側(cè))

  刻蝕深度 500-800nm(常規(guī)玻璃厚度3.2mm)

  較小聚焦光斑

  激光器功率 ≥20W

  激光器壽命 >20000h

  激光器類型 納秒/皮秒/飛秒綠光;納秒/皮秒/飛秒紫外(可定制)

  較小聚焦光斑 20um

  激光器功率 ≥30W

  激光器壽命 >20000h

  設(shè)備稼動(dòng)率 ≥98%

  不定時(shí)維護(hù)時(shí)間 <1%

  設(shè)備尺寸 1400x1400x2000mm

  運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)

  直線度 ±10umm/m

  較大速度 1500mm/s

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