厚膜光刻膠

·膜厚： 5-17um

·陡直度：75-88°可調(diào)

·高感度及工藝寬容度

·高耐熱性

電子束光刻膠

電子束光刻膠具有分辨率高、靈敏度好、抗刻蝕能力強等優(yōu)點，適用于多樣的電子束光刻工藝。當前可穩(wěn)定地實現(xiàn)工藝節(jié)點在30~100nm及以上的分辨率，曝光劑量50~300μC/cm2。

·高分辨率

·高靈敏性

·刻蝕選擇比好

·與基底兼容好

KrF光刻膠

KrF光刻膠適用于多種KrF工藝，Line/Trench KrF光刻膠，分辨率0.2μm，DOF>400nm；28nm離子注入層KrF膠，分辨率0.14μm，DOF>250nm；通孔KrF膠，分辨率可達0.18μm，DOF>600nm。

· 高分辨率

· 適合多種結(jié)構(gòu)

· 工藝窗口大

· 形貌陡直

金屬剝離膠

金屬剝離膠具備高熱穩(wěn)定性，與其他光刻膠涂層兼容，可于TMAH或KOH中顯影，易被光刻膠剝離液去除。目前在工藝中可形成幾微米內(nèi)的雙影效果，可應用于金屬剝離工藝

·內(nèi)切結(jié)構(gòu)易控制

·內(nèi)切隨溫度變化小

·易于去邊

·填充性能好

·被剝離液去除

·與基底兼容好

I-line光刻膠-IP100系列

·膜厚：640-1500nm

·分辨率：0.35um

·陡直度高

·高寬比＞3

負性光刻膠-SN1000系列

·膜厚范圍: 8-16μm

·靈敏度（150~250mJ/cm 2 ）

·高分辨率（< 2μm）和高深寬比 > 5

·涂布性能好

Remover 300 系列去膠液

Remover 300 去膠液可以應用于傳統(tǒng)半導體、化合物半導體、芯片封裝制造制程中的光刻膠、灰化/刻蝕殘渣去除。該產(chǎn)品具有去膠速度快、 使用壽命長、對金屬腐蝕弱等優(yōu)點，主要應用于半導體前道、無線設(shè)備、光電子器件、MEMS和封裝等領(lǐng)域。

·高速去膠能力 5-20Min。

·去膠后可直接純水沖洗。

·使用周期 Bath Lift 長（正常條件下 24 hours）。

·不含氟化物及羥胺。

BTM系列鍵合膠性能

·良好的成膜性能

·耐<300℃工藝條件

·強的結(jié)合力

·熱和機械解鍵合

·低的鍵合壓力

·低的解鍵合拉力

·耐濕化學試劑

·易清洗

配套超純電子溶劑