LD原子層沉積設(shè)備是真空鍍膜工藝中不可缺少的設(shè)備。從電致發(fā)光顯示器，半導(dǎo)體器件到新型太陽能電池，ALD設(shè)備以優(yōu)異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點大放異彩。本系列設(shè)備可以沉積Al2、O3、TiO2、MgO、SiO2、Pt、Ag、Cu、Ni、Pd等薄膜，涵蓋氧化物，氮化物，硫化物，金屬，給予實驗工藝和內(nèi)容很大的自由度。

技術(shù)參數(shù)

反應(yīng)腔體                 橫流模式的單腔反應(yīng)腔/噴淋模式的雙腔反應(yīng)腔

襯底規(guī)格                 4-12寸單片

三維復(fù)雜襯底/粉末與顆粒/多孔及高縱深比材料

RT-400°C，控制精度±1℃@單腔

RT-500°C，控制精度±1℃@雙腔

閥門                          SwagelokALD閥門,耐熱溫度200°C

前驅(qū)體源                 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)以及臭氧源,容器標準50mL揮發(fā)式容器和100mL載氣輔助式容器，其他規(guī)格可定制較高可配備8路前驅(qū)體源

載氣                          N2或者Ar,質(zhì)量流量控制器

管路源容器加熱溫度   配可拆卸加熱套，RT-250°C,控制精度±1°C

真空系統(tǒng)                  油泵、防腐油泵、干泵可選

壓力傳感器              檢測范圍5*10-4~1000 mbar

真空管路                  烘烤至200°C,且真空泵前級配置熱阱,加熱溫度300°C

控制                           觸摸屏+PLC/選配電腦

機柜                           可 移 動 鋁 型 材 框 架 ，不 銹 鋼 面 板 較 小 尺 寸 :720*700*1000mm  較大尺寸:2100*880*1850mm

選配                           臭氧發(fā)生器/粉末沉積盤/手套箱耦合/QCM尾氣處理裝置