性能參數(shù)

　　·設(shè)備型號 ：VCE400

　　·真空腔室：結(jié)構(gòu) 方箱式前后開門;配置手套箱

　　·真空腔室尺寸 ：L400×W440×H450mm

　　·加熱溫度 ：室溫～300℃

　　·旋轉(zhuǎn)基片臺 ：120mm×120mm

　　·膜厚不均勻性 ：≤±5.0%

　　·蒸發(fā)源 ：2組金屬源，2～4組有機源

　　·控制方式 ：PLC控制

　　·占地面積 ：主機L1100×W780×H1800mm，手套箱尺寸定制

　　產(chǎn)品特色

　　·設(shè)備配備4～6組蒸發(fā)源，兼容有機蒸發(fā)與無機蒸發(fā)，多元共蒸獲得復(fù)合膜/分蒸獲得多層膜，功能強大，性能穩(wěn)定

　　·適用于實驗室制備金屬單質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、有機膜等

　　·適用于蒸發(fā)鍍膜與手套箱環(huán)境有機融合，實現(xiàn)蒸鍍、封裝、測試等工藝無縫對接，廣用于鈣鈦礦太陽能電池/OPV有機太陽能電池及OLED薄膜等研究系統(tǒng)等

　　性能參數(shù)

　　·設(shè)備型號 ：VCE500

　　·真空腔室結(jié)構(gòu) ：立式前開門結(jié)構(gòu)，后置抽氣系統(tǒng)

　　·真空腔室尺寸 ：Φ500×H420mm

　　·加熱溫度 ：室溫～500℃

　　·濺射方式 ：上下濺射可選

　　·旋轉(zhuǎn)基片臺 ：Φ150mm

　　·膜厚不均勻性 ：Φ100mm范圍內(nèi)≤±5.0%

　　·濺射靶/蒸發(fā)電極 ：Φ2、Φ3、Φ4英寸磁控靶2-4支可選

　　·工藝氣體 ：2-3路氣體流量控制

　　·控制方式 ：PLC控制/工控機全自動控制可選

　　產(chǎn)品特色

　　·設(shè)備可濺射/蒸發(fā)兩用;可用于制備單層及多層金屬膜、介質(zhì)膜、半導(dǎo)體膜、磁性膜、傳感器膜及耐熱合金膜、硬質(zhì)膜、耐腐蝕膜等

　　·鍍膜示例：銀、鋁、銅、鎳、鉻、鎳鉻合金、氧化鈦、ITO、二氧化硅等

　　·單靶濺射、多靶依次濺射、共同濺射等功能